本发明公开了一种具有室温铁磁性的铌酸
锂薄膜及其制备方法。所述铌酸锂薄膜中掺杂Co、Mn、V、Cr和Fe中至少一种元素。本发明提供的铌酸锂薄膜的制备方法,包括如下步骤:采用离子注入法向铌酸锂基底中注入Co、Mn、V、Cr和Fe中至少一种元素;所述注入采用至少三种不同的注入能量。由于离子注入的过程中的掺杂离子在基体中分布的浓度内外差别比较大,不利于获得掺杂均匀的材料。
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“具有室温铁磁性的铌酸锂薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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