本发明公开了一种含导电保护薄膜的
锂负极的制备方法及应用。在锂片表面附着有真空溅射Cu膜。具体制备方法如下：在氩气手套箱内，先将锂片用导电双面胶贴在待溅射的托盘上，连同托盘一起放入密封盒内，再将密封盒内托盘转移到磁控溅射镀膜仪内，进行真空直流溅射Cu，溅射时间为240‑360秒。本发明制备的导电Cu膜具有层状和导状的复合形貌，既可避免锂片与
电解液直接接触，又可分散电流，减小电流密度，抑制锂枝晶生长，促进
电化学反应动力学。应用于锂硫电池表现出良好的循环稳定性和容量维持率。本发明制备过程简单可控，具有实际应用价值。
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来源：北方有色网
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