本发明提供一种基于金属硬掩模的铌酸
锂薄膜光子
芯片及其加工方法，该方法包括：S1，利用真空磁控溅射技术在铌酸锂薄膜表面沉积一层金属铬层；S2，在所述金属铬层上旋涂一层电子束抗蚀剂，通过电子束直写光刻将待加工的图案转移到所述电子束抗蚀剂上；S3，采用基于氯气的金属刻蚀工艺刻蚀所述金属铬层，形成金属硬掩模；S4，在所述金属硬掩模和电子束抗蚀剂双重保护下，通过反应离子刻蚀所述铌酸锂薄膜，实现微米量级光子芯片的加工。本发明具有加工精度高、刻蚀选择比高、结构深宽比好、结构表面污染水平低等优势，可用于铌酸锂薄膜上高精度、高光滑度的脊形波导、微环谐振腔等光子芯片的制造。
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“基于金属硬掩模的铌酸锂薄膜光子芯片及其加工方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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