本发明属
锂离子薄膜电池技术领域，具体涉及一种应用于全固态薄膜
锂电池的
正极材料掺锆
锰酸锂薄膜(LMZO)及其制备方法。本发明采用射频磁控溅射沉积法制备掺锆锰酸锂薄膜，其颗粒尺寸明显小于纯的锰酸锂(LMO)，且在
电化学循环过程中表现出不同于LMO的斜的充放电曲线，克服了LMO充放电曲线中电位突跃的不利影响。结合射频磁控溅射制备的锂磷氧氮(LiPON)固态电解质薄膜与真空热蒸发制备的
金属锂负极薄膜，组装成全固态薄膜锂电池。电池的比容量可达53mAh/cm2－μm，循环次数可达300次。这些结果表明：射频磁控溅射方法制备LMZO正极薄膜，能应用于全固态薄膜锂电池。
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“掺锆锰酸锂正极薄膜材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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