本发明涉及一种硫注入诱导尖晶石和氧空位的富
锂锰基
正极材料及其制备方法，属于锂离子电池技术领域。所述材料以富锂锰基层状正极材料为基体，基体表面自内而外依次为S阴离子掺杂层和含有氧空位的尖晶石层，所述含有氧空位的尖晶石层的厚度为3nm～7nm。制备时，首先将硫粉与富锂
锰基正极材料的混合粉末在惰性气体氛围中进行煅烧，表面沉积的硫的同时诱导原位生成尖晶石和含氧空位表面，之后采用CS2处理并煅烧后得到。所述材料表面的S阴离子掺杂层和含有氧空位的尖晶石层可有效保护循环过程中的界面不受副反应的破坏，并且具有3D离子通道的尖晶石结构有利于界面锂离子传输，氧空位的生成有利于减少晶格氧释放以稳定材料晶体结构。
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“硫注入诱导尖晶石和氧空位的富锂锰基正极材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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