本发明提供一种基于套刻技术的铌酸
锂薄膜波导微环的制备方法。其基本方案为：采用紫外光刻、金属镀膜工艺，在铌酸锂薄膜基片上制备环波导掩膜；采用紫外光刻套刻、金属镀膜和lift‑off工艺，在铌酸锂薄膜基片上制备直波导掩膜；采用刻蚀法刻蚀铌酸锂薄膜基片，将金属掩膜图形转移到铌酸锂薄膜层；清洗去除掩膜，得到铌酸锂薄膜波导微环器件样品。采用本发明的方法，将工艺精度从普通的光刻精度优化至套刻精度，即使使用光刻线宽精度为1um以上的普通紫外光刻机，也可以实现间隙要求小于0.8um线宽的微环器件的制备，极大地降低了成本，提高了制备的效率。
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“基于套刻的铌酸锂薄膜波导微环制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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