本发明公开了一种富含缺电子结构的秋兰姆基
锂电
正极材料及其制备方法。该
锂电正极材料包括正极活性材料秋兰姆重组物；其中秋兰姆重组物中含有S‑S键并富含缺电子结构。其制备为：1)以TMTM为起始物，将其溶解于
电解液中，之后滴加到碳纸上作为正极，负极为锂金属，得到锂‑秋兰姆电池；2)将锂‑秋兰姆电池，通过高压
电化学氧化TMTM，原位得到富含缺电子结构的秋兰姆基锂电正极材料。本发明所得锂电正极材料在
锂电池中表现出超长的循环性能，良好的倍率性及低温特性；制备方法简单，反应可控，有利于工业化生产。
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“富含缺电子结构的秋兰姆基锂电正极材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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