本发明涉及一种化合物硫硅镉
锂和硫硅镉锂红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该化合物的化学式为Li
2CdSiS
4，分子量为282.61，为硫硅镉锂粉末纯样；该晶体的化学式为Li
2CdSiS
4，分子量为
锌，非中心对称结构单晶，晶系为正交晶系，空间群为Pmn2
1，晶胞参数a=7.611(3)Å，b=6.793(2)Å，c=6.304(2)Å，Z=2，单胞体积V=325.90（19）Å
3。采用在真空条件下进行固相反应法和高温熔融‑自发结晶法制备粉末纯样和晶体；本发明中所述的硫硅镉锂红外非线性光学晶体的纯样XRD图与理论值吻合；在2090nm的激光下，倍频效应是AgGaS
2的1倍；获得毫米级晶体。
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“化合物硫硅镉锂和硫硅镉锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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