本发明涉及
锂离子电池技术领域，公开了一种锂离子电池用硅负极片的锂化方法，通过辊压将锂箔厚度方向上的1/3～2/3的部分嵌入硅负极片，并通过电池活化使锂箔释放锂浸润硅负极片以实现硅负极片的锂化，辊压温度25～40 ℃，锂箔的厚度为3～25 um，锂箔的质量为提升目标首次效率所需的理论计算用量的1.0～1.2倍。锂箔厚度方向上部分嵌入硅负极片中既保证锂箔与硅负极片之间紧密固定，同时避免锂箔与硅负极片贴靠的一侧不能被硅负极片完全利用，导致锂的枝状结晶出现，造成锂利用率低。经锂化后的硅负极片可将锂离子电池的首次效率提升10～15%，循环50次后的库伦效率为99.5～99.9%。
声明：
“锂离子电池用硅负极片的锂化方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
879
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
