一种横向生长非晶硅纳米线的制备方法，包括如下步骤；1)把衬底用氢氧化钠溶液在刻蚀，然后依次用超纯水、乙醇、丙酮、超纯水分别超声清洗；2)以衬底作为基底，采用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积
镍膜，作为硅纳米线生长所需要的催化剂；3)将上述沉积有镍膜的硅片放入带凹槽的样品靶台上，采用直流喷射CVD法制备横向生长非晶硅纳米线；所制备的横向生长非晶硅纳米线的应用，用于超级电容器电极。本发明的优点是：该制备方法工艺简单、过程清洁并且生产成本低，适宜于规模化生产；能够得到不同厚度、不同纳米结构、不同取向分布的硅纳米线，无论是应用于新能源方向还是纳米电子器件方向都具有广阔的应用前景。
声明：
“横向生长非晶硅纳米线的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1041
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
