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高透高迁移率ITO薄膜的制备方法

1151   编辑：管理员   来源：北方有色网  
2023-03-18 20:17:05
本发明属于新能源新材料领域，尤其涉及一种ITO薄膜，具体为一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法。该方法包括以下步骤：S1、在衬底上生长In2O3籽晶层；S2、在S1生长的In2O3籽晶层上生长ITO薄膜；S3、将S2中的复合薄膜进行退火处理。本发明提供的ITO薄膜的制备方法，通过在两步法制备ITO薄膜引入In2O3籽晶层，提高了与P型半导体材料的接触特性，同时在制备过程中引入氢气，提高了ITO薄膜透过率、与载流子迁移率，薄膜材料的性能显著得到提高。
声明：
“高透高迁移率ITO薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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