本发明涉及一种I2-II-IV-VI4基薄膜太阳电池。属于太阳电池新能源领域。本发明以p型I2-II-IV-VI4基半导体薄膜作为吸光层,以与吸光层同质的薄膜作为缓冲层,优化电池p-n结能带带阶;以高功函数的双层复合薄膜作为电池的底电极,消除光吸收层与底电极的接触势垒;以宽带隙的ZnS半导体薄膜作为窗口层,提高电池的光利用效率。本发明所提供的I2-II-IV-VI4基薄膜太阳电池,原料丰富、廉价,具有优良的器件结构。
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来源：北方有色网
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