本发明提供一种基于
钙钛矿n‑i‑n结的窄带光探测器结构及制备方法，涉及光电探测领域，本发明包括本征钙钛矿晶体作为γ光子吸收层，以及在其两侧生长的n型外延层。所述本征钙钛矿晶体为探测光谱段光子的吸收层，吸收层的能量带隙Eg2=hc/λmax，h是普朗克常数，其中c是光传播速度，λmax是设计探测光谱的峰值响应波长；利用钙钛矿n‑i‑n异质结的不同能量带隙，使得设计探测光谱内的入射光子具有较高的吸收系数，从而提高了窄带探测的量子效率，利用n‑i‑n结的耗尽层调控探测器的电场分布，将n‑i‑n结能带结构和电场分布相结合，调控光生载流子的输运和复合，获得较小的探测谱线宽度，以及较高的光谱抑制比。
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“基于钙钛矿n-i-n结的窄带光探测器结构及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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