本发明公开了数据存储技术领域中的一种复合自由层STT-RAM存储单元。该单元包括上电极、盖帽层、复合自由层、绝缘氧化层、固定层、铂
锰种子层、缓冲层、下电极;其中,复合自由层采用
复合材料CoFeSiO,绝缘氧化层为Mgo,固定层包括
钴铁硼CoFeB层、钌Ru层、钴铁CoFe层。本发明的复合自由层可以降低磁化翻转的临界电流密度、提高自由层的热稳定性,并且降低了制造难度。
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来源：北方有色网
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