本发明一种三维阵列
碳纳米管及其制备方法，属于
纳米材料制备技术领域；所述碳纳米管单根直径为30‑50nm,长度为2‑3μm。制备方法步骤为：步骤1：在基底上生长氧化物纳米阵列作为模板，并在烘箱中干燥完全；步骤2：在步骤1得到的氧化物纳米阵列上包覆碳层；步骤3：在400‑800℃下进行化学气相沉积CVD反应，在反应过程中去除模板以及完成表面碳化过程，最终得到所述三维阵列碳纳米管。本发明制备工艺简单，成本低廉，易于调控，可大规模生产。可用于催化、能源及
复合材料等领域。与传统方式制备的无序堆叠的碳纳米管相比，本发明制备了高度有序的垂直氮掺杂碳纳米管(V‑CNTs)。
声明：
“三维阵列碳纳米管及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
952
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
