本发明涉及一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列及其制备方法与应用，属于
纳米材料技术领域。本发明公开了一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列，所述SiC@C纳米线准阵列中SiC的相组成为3C‑SiC，壳层的C为PEDOT层经冷冻干燥、碳化后的掺杂硫元素的
碳材料。本发明还公开了一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列的制备方法，所述的制备方法包括：将预处理后的碳布覆盖在盛有聚硅氮烷、三聚氰胺粉末的坩埚口，在高温气氛炉中加热，冷却后得沉积SiC准阵列的碳布；将沉积SiC纳米线的碳布置于反应真空室，将汽态的EDOT诱导进入反应真空室，汽态的FeCl3引入反应真空室后沉积得SiC@PEDOT纳米线准阵列，清洗后经冷冻干燥、碳化得硫掺杂的SiC@C纳米线
复合材料。
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“核壳结构的SiC@C纳米线准阵列及其制备方法与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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