本发明涉及光催化
半导体材料技术领域，具体为一种SiP
2量子点/光催化材料及其制备方法。通过机械剥离的的方法将大颗粒的SiP
2单晶超声成小尺寸的SiP
2量子点，然后通过滴加、旋涂或者浸渍的方法将SiP
2量子点均匀的覆盖在光催化材料的表面得到SiP
2/光催化材料
复合材料。本发明中SiP
2量子点能够拓宽吸光范围、加快电子分离与传输、降低光催化能垒、提高效率，此外用量少，价格低，不会对TiO
2等光催化剂材料的稳定性等造成影响。另外通过机械剥离获得纳米级SiP
2是高度可行的并且表现出优异的光催化性能，其制备方法简单，因此将SiP
2量子点与半导体光催化剂进行复合提高催化效率将有很大的应用前景及意义。
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“SiP2量子点/光催化材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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