本发明属于有机－无机
复合材料领域，具体涉及一种聚乙烯基咔唑插层水滑石荧光薄膜及其制备方法。本发明的聚N-乙烯基咔唑与对叔丁基苯甲酸根插层的水滑石薄膜为超分子结构，其晶体结构为类水滑石材料的晶体结构，化学式为：[(M2+)1-x(M3+)x(OH)2]x+(PTBBA-)x(PVK)y·mH2O。本发明利用水滑石层间对叔丁基苯甲酸根提供的富含苯环的疏水环境，可以将具有优良荧光特性的N-乙烯基咔唑组装进入水滑石层间，在汞灯照射下实现了原位聚合，制备了聚合N-乙烯基咔唑插层水滑石薄膜材料。该材料插层结构稳定、机械强度高、耐腐蚀性强，且在可见光区有明显的荧光，作为光学材料具有广阔的应用前景。
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“聚乙烯基咔唑插层水滑石荧光薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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