本发明公开了一种基于ZnS·SiO
2的双向自限流忆阻器件及其制备方法，属于集成微电子技术领域；双向自限流忆阻器件包括：上电极、功能层和下电极，功能层由ZnS和SiO
2复合形成单层复合结构ZnS·SiO
2；单层复合结构ZnS·SiO
2中ZnS和SiO
2的复合比例满足以下要求：ZnS的成分大于或等于SiO
2。本发明通过对该忆阻器中功能层进行改进，利用ZnS和SiO
2的
复合材料作为忆阻器单元的阻变功能层，导电丝会沿着ZnS的晶界生长，从而降低导电丝生长的随机性，起到定向诱导导电丝生长的作用，提高器件的高低阻态稳定性和操作电压的一致性。同时，ZnS和SiO
2的复合会产生一个额外的接触电阻，起到外接串联电阻的作用，实现双向自限流。
声明：
“基于ZnS·SiO2的双向自限流忆阻器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
976
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
