本发明提供了一种g‑C
3N
4/CsPbI
3/TiO
2纳米管阵列的制备方法，属于纳米
复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为：通过金属钛或钛合金的
电化学阳极氧化法首先制备纳米管阵列结构；然后在马弗炉中进行晶化处理，得到TiO
2纳米管阵列；再将CsPbI
3纳米粒子加入g‑C
3N
4悬浮液中，得到含CsPbI
3和g‑C
3N
4的混合溶液；最后将TiO
2纳米管阵列与混合溶液反应，制备得到g‑C
3N
4/CsPbI
3/TiO
2纳米管阵列。该改性处理方法在充分发挥纳米管有序阵列的优势的同时，实现了两种
半导体材料的多元复合改性。制备得到的g‑C
3N
4/CsPbI
3/TiO
2纳米管阵列，比表面积大，对太阳光的响应吸收范围宽，可作为高性能的复合电极，为高性能光催化剂的设计提供支撑。
声明：
“g-C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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