本发明公开了一种自适应电磁脉冲屏蔽薄膜制备方法、所制得的薄膜及应用，涉及电磁屏蔽材料领域。步骤如下：取AgNWs加入乙醇、水和氨水得溶液E；将TEOS加入乙醇中并滴加入溶液E中，室温反应20‑30h得溶液F；将溶液F超声离心，取沉淀，洗涤得AgNWs@SiO
2；取PVA和水，搅拌，加热至85‑95℃，搅拌至PVA完全溶解得到溶液G；取AgNWs@SiO
2加入到溶液G，温度60‑70℃，搅拌10‑15h得到
复合材料流体，进行流延成膜，待溶剂挥发后得到自适应电磁脉冲屏蔽薄膜；其中，AgNWs和TEOS的质量比为15‑25:1；PVA聚合度为1700，醇解度为99%；PVA和AgNWs@SiO
2的质量比为100:40‑120。本方法工艺简单，成本低，反应时间短，易于大量制备；制得的薄膜分布均匀，分散性较好，无团聚，可应用于自适应电磁脉冲防护领域。
声明：
“自适应电磁脉冲屏蔽薄膜制备方法、所制得的薄膜及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1116
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
