本发明涉及一种CdS/TiO
2纳米管阵列异质结及其制备方法，其中，方法包括如下步骤：S1、制备TiO
2纳米管阵列。S2、配制镉源前驱体溶液和硫源前驱体溶液。S3、利用超声辅助进行连续离子层沉降在TiO
2纳米管阵列的内壁和外壁形成均匀的CdS颗粒，再经热处理后得到CdS/TiO
2纳米管阵列异质结。本发明的制备方法能够解决现有技术中半导体颗粒难以进入TiO
2纳米管的内部并无法在纳米管的内外壁上形成大面积异质结的问题，且方法简单、过程易于操控、材料复合均匀。制得的CdS/TiO
2纳米管阵列异质结中在纳米管的内外壁上能够形成大面积均匀的CdS颗粒，大大增强了该
复合材料对太阳光的利用率。
声明：
“CdS/TiO2纳米管阵列异质结及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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来源：北方有色网
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