本发明公开了一种高
铝含量、低氧含量的聚铝碳
硅烷的制备方法，采用液态超支化液态聚碳硅烷和甲基铝氧烷为原料，在密闭惰性条件下，制得聚铝碳硅烷，通过调节原料的配比，即可实现聚铝碳硅烷中铝元素含量的调节；本发明还公开了一种基于上述方法制得的聚铝碳硅烷，铝元素质量百分比含量可为0～20％，氧元素质量百分比含量小于2％；本发明还公开了一种基于上述聚铝碳硅烷高温裂解后得到的SiAlC陶瓷，SiAlC陶瓷中Si、Al、C元素组成可调，且具有优异的耐高温及抗氧化性能，可用于PIP法制备耐超高温C/SiAlC陶瓷基
复合材料，亦可用于超高温抗氧化涂层、纤维的制备。
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“高铝含量、低氧含量的聚铝碳硅烷、制备方法及SiAlC陶瓷” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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