本发明公开了一种单晶硅坩埚，包括坩埚部本体，配置为盛放石英坩埚；所述坩埚部包括第一坩埚单元，配置为坩埚部的底部；第二坩埚单元，与第一坩埚单元连接，形成坩埚部的侧壁；孔单元，设置于第二坩埚单元，连通坩埚部的内外空间；孔单元在第二坩埚单元圆周方向上所占的比例，自坩埚部底部一侧向另一侧逐渐增大。本发明采用碳‑碳
复合材料作为坩埚侧壁，减少侧壁厚度，增大坩埚的容积，提高了单晶硅的产量；侧壁孔单元的设置，提高了加热器发热体对石英坩埚及硅熔体的热量传递，通过在侧壁上设置不同尺寸、不同形状或者分布密度不同的孔单元，可以有效控制硅熔体内部温度梯度的分布，控制硅熔体的对流，从而降低单晶硅的氧含量。
声明：
“单晶硅坩埚” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
955
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
