本发明公开了一种CsPW
11Fe/Si异质结复合光电材料及其制备方法，CsPW
11Fe纳米粒子有序生长于Si基底表面刻蚀出的孔洞中，呈现出“乳突”状排列；CsPW
11Fe纳米颗粒尺寸为95～105nm，Si基底表面刻蚀出的孔洞尺寸为1～3μm。通过CsPW
11Fe与Si之间的电子转移增强光生载流子的分离效率，从而提高光电转换效率。本发明能高效利用太阳光能实现光电转换，与其它方法相比，技术先进，节能低耗，且性质稳定。在可见光照射下CsPW
11Fe/Si
复合材料的入射单色光子‑电子转换效率达到了54.1％，明显高于纯硅(～10％)。
声明：
“CsPW11Fe/Si异质结复合光电材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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