本发明公开了一种制备
钴和三氧化二镓共掺硫化
锌硒化锌陶瓷与薄膜的方法，所制备的材料以纯钴、三氧化二镓以及硫化锌硒化
锌粉末原料通过循环致密固相烧结法，得到Ga
2O
3:Co:ZnS/Se陶瓷材料。以此为基础，采用脉冲激光沉积的方法制备了同样成分的纳米薄膜材料。本发明实现了过渡金属元素与透明半导体氧化元素共同掺杂硫系
复合材料的制备，所制得材料集中了多种掺杂元素的特性，包括铁磁性质、半导体性质及其红外光学特性。极大地拓宽了材料的应用范围，为下一步研究创造了良好的前提条件。
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“制备钴和三氧化二镓共掺硫化锌硒化锌陶瓷与薄膜的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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