本发明属于
复合材料制备技术领域，涉及
钴掺杂MoS
2/NiS
2多孔异质结构材料制备方法。本发明以导电碳布为功能基底，通过系列的水热、煅烧、溶剂热反应在活化后的碳布纤维上均匀生长NiS
2纳米片；以NiS
2纳米片的硫原子为“种子”，NiS
2纳米片2D结构为骨架，在NiS
2纳米片上同步生长MoS
2纳米片和进行钴掺杂，得到钴掺杂、MoS
2纳米微球包裹的NiS
2多孔异质结构。本发明自下而上制备Co‑MoS
2/NiS
2/CC，操作过程简单可控，产物负载率高；催化剂由NiS
2纳米片支撑，生长在NiS
2纳米片上的Co掺杂MoS
2纳米片，2D的NiS
2纳米片具有高比表面积和导电性，能增强电子传输效率，提高催化剂的分散性，并加速水裂解步骤基本反应。本发明工艺简单、条件相对温和、催化剂得率高、生产成本低等优点，可大规模生产。
声明：
“钴掺杂MoS2/NiS2多孔异质结构材料制备方法及其应用于电催化析氢” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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