本发明提供一种尼龙1/聚偏二氟乙烯复合介电薄膜及其制备方法，涉及
复合材料技术领域。其组成以重量百分比计：聚偏二氟乙烯80‑99％，尼龙1为1‑20％。本发明进一步提供尼龙1/聚偏二氟乙烯复合介电薄膜的制备方法，将聚偏二氟乙烯和尼龙1混合，在转矩流变仪上180‑200℃下混炼10‑20分钟；混炼后得到的产物在平板硫化机上于180‑200℃下热压10‑20分钟，室温保压3‑10分钟，获得尼龙1/聚偏二氟乙烯复合介电薄膜。本发明提高了聚偏二氟乙烯的介电常数的同时使得其介电损耗保持在较低水平，降低了由于相容性不好导致的各种问题，从而提高了聚偏二氟乙烯的功能特性。
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“尼龙1/聚偏二氟乙烯复合介电薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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