本发明公开了一种缺陷型
石墨烯碳纳米管复合结构场发射器件的设计方法，包括：A选取一端封闭，另一端边缘为扶手椅型的C(6.6)单壁纳米管；B在石墨烯片层原材料中选取一个零维石墨烯纳米盘，将零维石墨烯纳米盘的中心部位进行碳原子去除以形成缺陷形状，缺陷形状与步骤A中的C(6.6)单壁纳米管的扶手椅型边缘相匹配；C将所述C(6.6)单壁纳米管的扶手椅型边缘与所述零维石墨烯纳米盘中心部位的缺陷形状通过C-C单键相对接。本发明的设计方法通过将石墨烯进行缺陷修饰，再与碳纳米管相结合，使整个结构的稳定性与内部电子的交换与传导得到提高，提高其结合能并降低其离化能，使此
复合材料呈现出极佳场发射性质。
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“缺陷型石墨烯碳纳米管复合结构场发射器件的设计方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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