本发明公开了一种高分子插层氧化
石墨烯的高阻隔材料及其制备方法由丙烯腈‑丁二烯‑苯乙烯共聚物和氧化石墨烯制成，两者的质量比是丙烯腈‑丁二烯‑苯乙烯共聚物:氧化石墨烯=99:1。本发明采用溶液共混的方法将高分子插层到氧化石墨烯类纳米片层材料中，方法简单有效，便于产业化的实现。本发明的氧化石墨烯高阻隔纳米
复合材料所制得的薄膜材料中的氧化石墨烯片层
纳米材料具有一定的取向，延长小分子通过聚合物膜的路径，进而具有高阻隔性能。所采用的氧化石墨烯为Hummers法制备，氧化程度更高，其所带基团更多，层间距更大，更有利于聚合物插层。
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“高分子插层氧化石墨烯的高阻隔材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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