本发明公开了一种金属氧化物阻变存储器，阻变存储介质层的材料为由氧化硅和金属氧化物组成的
复合材料。本发明还公开了一种金属氧化物阻变存储器的制造方法。本发明金属氧化物阻变存储器通过在金属氧化物阻变存储器材料中引入不具备阻变性能的高阻态硅氧化物网络，能降低阻变存储介质层的有效界面面积，从而能提高器件的工作电阻区间、降低器件的操作功耗。
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来源：北方有色网
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