本发明公开了一种三维多孔
钴—铟合金电极的制备方法，包括以下步骤：第一步、量取一定体积比的酸和蒸馏水置于烧杯中形成稀酸溶液；将泡沫钴(Co)作为磁性基体静置于稀酸溶液中以除去表面氧化物等杂质；用无水乙醇和蒸馏水交换洗涤泡沫钴(Co)，洗涤3～5次后置于真空干燥箱中干燥；第二步、将铟(In)在对辊机上辊压2～5次后形成In薄片；第三步、将步骤S2得到的In薄片置于步骤S1得到的泡沫钴(Co)上，在对辊机中辊压2～5次得到Co‑In片；第四步、将步骤S3得到的Co‑In片在高纯度氩气中加热数小时，冷却至室温后得到Co‑In
复合材料。本发明所提供的一种三维多孔钴—铟合金电极的制备方法，有效避免不均匀的
锂成核、沉积和枝晶状锂的形成。
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“三维多孔钴—铟合金电极的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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