本发明提供了一种低温陶瓷结合SiC磨料的制备方法，属于磨料制备和纳米
复合材料领域。具体制备步骤为：将
碳化硅微粉加入到乙醇水溶液中，超声搅拌1~2h后，将制备的低温陶瓷结合剂加入，超声搅拌1~2h；将PVA加入上述碳化硅混合粉料，机械搅拌1~2h，密封静置5~10h后；然后将混合粉料进行制粒干燥后，在600~800℃下进行热处理2~5h，得到粒度再造的低温陶瓷结合SiC磨料。碳化硅性质稳定，使用性能优良，但生产成本较高，并且在生产过程中会有较多的碳化硅粉末由于颗粒过小而无法使用，造成资源浪费。本发明通过引入低温陶瓷结合剂，显著降低了碳化硅粒度再造时的热处理温度，并且粒度再造后的低温陶瓷结合碳化硅磨料仍具有尖锐的棱角和较高的强度，磨削性能优良。
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来源：北方有色网
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