本发明公开了含纳米硫化
铜铝的孤立膜及制备方法。孤立薄膜的基质为有机改性硅醇盐甲基三乙氧基
硅烷(MTES)与γ-(2，3-环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷(KH560)经水解与聚合后而成的SiO2/有机基团
复合材料，用于近红外吸收的纳米粉体为黄铜矿结构CuAlS2。该粉体通过超声雾化法制得。将硫化铜/硫化铝混合溶液与硫化钠溶液进行接触反应，生成CuA1S2。粉体经过湿磨与干磨等粉体处理，然后分散于十六烷甲基溴化铵溶液中，再与MTES/KH560复合，然后涂覆于洁净的涤纶衬底膜表面上，制得含纳米CuAlS2无支撑厚膜。本发明是工艺简单、成本低廉、操作方便、合成效率高、可望用于太阳能热屏蔽与专业红外吸收材料上。
声明：
“含纳米硫化铜铝的孤立膜及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1121
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
