本发明公开一种长循环高倍率C‑O‑Mo键桥接单片锥形MoS
2/NG钠离子
负极材料及其制备方法，以氮甲基吡咯烷酮作为“牺牲剂”促进C‑O‑Mo键的形成，使得单片锥形结构自组装的二硫化钼通过化学键的桥接，从而固定在氮掺杂
石墨烯柔性基地上。该方法具有制备工艺简单、周期短、能耗低、重复性好且产率高等特点。利用该方法制备的MoS
2/NG的单片锥型结构依托三角形的稳定性这一原理，使得材料具有自支撑的稳定功能；从NMP分子桥接得到的C‑O‑Mo键固定在NG上，在提高材料整体导电性的基础上更加稳固了二硫化钼在石墨烯表面的生长。该
复合材料使得钠离子电极具有高容量保持率和优异的倍率性能，即使在5A g
‑1的电流密度下，1000次循环后容量仍可达到151mAh g
‑1。
声明：
“C-O-Mo键桥接单片锥形MoS2/NG钠离子负极材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1027
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
