本发明属于纳米
复合材料合成技术领域，具体涉及一种快速制备Ag的二维和三维纳米结构的方法，通过在Si片上自组装有序的PS小球阵列、沉积[M/(XaOb)]n(n＝1‑10)多层膜结构、将PS小球去除后再用4‑MBA溶液中浸泡12h可以获得Ag纳米带的二维结构，将PS小球去除后进行高温退火获得前驱体再浸泡1mM 4‑MBA酒精溶液12h，可获得Ag纳米片/花三维结构。该方法制备的Ag纳米带/片/花有望显著提高表面增强拉曼散射信号强度、
储能能力以及催化效率。该方法得到的Ag纳米带/片/花制备简单、可重复性强等特点，具有强的局域表面等离激元和大的比表面积等优异性能在材料等邻域具有广阔的应用前景。
声明：
“Ag纳米带/片/花的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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来源：北方有色网
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