本发明为半导体与MOF骨架空间互补的三维有序结构开发的技术领域，具体涉及一种半导体与MOF骨架空间互补的三维有序结构、其制备方法及应用。半导体与MOF骨架空间互补的三维有序结构，包括MOF及填充在MOF孔道内的半导体，在MOF孔道中的半导体空间排布具有周期性，且尺寸均一，所述半导体的粒径不大于MOF晶格中所对应的孔道直径，半导体与MOF骨架在空间上互补、与MOF孔道内壁拼接准确。本发明的半导体与MOF骨架空间互补的三维有序结构，
半导体材料尺寸均一，排布周期性与介孔孔道一致，可以构筑出其它传统方法无法获得的三维堆积方式，因而更容易制备出活性极高的
复合材料。
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来源：北方有色网
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