一种Spindt型阴极阵列的制备方法，制备Si-TaSi2共晶自生
复合材料铸锭，并通过Bridgman方法进行定向凝固，得到TaSi2在Si基体上均匀分布的试样棒。采用HNO3/HF腐蚀液，通过刻蚀的方法在试样的表面制备出有TaSi2的Spindt型阴极阵列。得到的TaSi2的Spindt型阴极阵列的长径比为35:1，尖锥曲率半径为18nm。Si基体上TaSi2的均匀性比较好，面密度达到了1.05×106rod/cm2，TaSi2的直径为3μm。与现有技术中长/径比为2：1的阵列相比，其场发射性能有了很大的提高，可应用于场发射显示器件，以及场效应二极管，平板显示器，传感器等器件。
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来源：北方有色网
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