本发明公开了一种
石墨烯半导体制备装置及方法，一种石墨烯半导体制备方法，包括以下步骤：I、提供SiC衬底，利用氢气刻蚀；II、在氩气氛围下对SiC衬底片进行升温；III、在超高真空的环境下，形成六方蜂窝状的石墨烯薄膜；IV：形成石墨烯半导体
复合材料。一种石墨烯半导体制备装置，包括：氢气刻蚀模块；C原子自组装模块；同质外延成长模块；反应合成模块。本发明不仅可以获得大面积、高质量的石墨烯，而且所获得的石墨烯具有较好的均一性，且与当前的集成电路技术有很好的兼容性；同时利用了
半导体材料的优点与石墨烯的特性，实现了石墨烯的制备及其与半导体材料复合同时进行，具有广泛的适用性。
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来源：北方有色网
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