本发明公开了一种基于SiGeSn-GeSn材料的II型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有基于IV族材料的隧穿场效应晶体管性能差的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)和漏极(4)。沟道采用Sn组分为[0.05,0.12]的单晶GeSn材料；源极和漏极均采用Ge组分为[0.2,0.5]，Sn组分为[0.1，0.2]的SiGeSn
复合材料；源极、沟道、漏极依次竖直分布，且沟道外部依次包裹有绝缘介质(5)与栅电极(6)。本发明通过源极SiGeSn与沟道GeSn两种材料相互接触，形成II型异质隧穿结，降低了隧穿势垒高度，增大了隧穿几率和器件的隧穿电流，可用于制作大规模集成电路。
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“基于SiGeSn-GeSn材料的II型异质结隧穿场效应晶体管” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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