一种半导体结构，包括基板、半导体磊晶层、半导体阻障层、第一半导体元件、绝缘掺杂区、及至少一绝缘柱。基板包括基材和
复合材料层，半导体磊晶层设置于基板上，半导体阻障层设置于半导体磊晶层上。第一半导体元件设置于基板上，其中第一半导体元件包括位于半导体阻障层上的第一半导体盖层。绝缘掺杂区位于第一半导体元件的一侧。至少部分的绝缘柱位于绝缘掺杂区内，绝缘柱围绕至少部分第一半导体元件且贯穿复合材料层。
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来源：北方有色网
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