本发明涉及一种纳米半导体异质结SnO
2@M(M＝Ag、Au、Pt)及其制备方法、应用，包括：将
纳米材料SnO
2分散于含有M(M＝Ag、Au、Pt)离子或化合物的盐的溶液中，当SnO
2表面充分吸附M(M＝Ag、Au、Pt)离子或化合物后，离心分离，将离心后的化合物用去离子水漂洗2‑3次；将漂洗后的化合物分散于一定浓度的还原性溶液(NaBH
4、VC)中，充分反应然后再离心分离；将所得产物用去离子水漂洗数次，烘干，即得SnO
2@M(M＝Ag、Au、Pt)纳米半导体
复合材料。该方法制备成本低、操作简单容易、耗时少、效率高、稳定性好、环境友好，重复性好、易于普适性和规模化生产。本发明制备的半导体复合材料SnO
2@M(M＝Ag、Au、Pt)在
太阳能电池、透明电极材料、光催化、气敏传感器等领域中有很好的应用前景。
声明：
“纳米半导体异质结SnO2@M(M=Ag、Au、Pt)及其制备方法、应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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