本发明涉及一种超薄
碳化硅材料的制备方法，将硅源与碳源相距0-100cm放置于反应炉管内；以1℃/min-300℃/min的速率升温至600℃－2300℃，反应炉管抽至真空度为10-5-105Pa，在保护气氛下反应1-2880min；然后以1℃/min-500℃/min的速率冷却至室温，得到超薄碳化硅材料。本发明制备工艺简单，制得的超薄碳化硅（5纳米厚度以下）是一种具有宽禁带并且能够稳定存在的二维材料，它的诞生克服了
石墨烯没有禁带和单层二硫化钼不能稳定存在的缺点。可广泛用于量子光源、光电、半导体原型器件、微电子电路、射频器件、集成电路、光催化、海水淡化、纳米能源、
复合材料等技术领域。
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“超薄碳化硅材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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