一种原位生长
石墨烯增强
铜基电接触材料的制备方法，本发明涉及铜基电接触材料的制备方法。本发明要解决现有银基电接触
复合材料价格高昂，性价比低的问题，用性能良好的铜基复合材料代替金属银时，存在石墨烯在铜中的分散不均匀、缺陷的问题。本发明的方法：将铜粉置于等离子体化学气相沉积真空装置中，通入氢气，并在高温下保温，再通入甲烷气体进行沉积，沉积结束后，停止通入甲烷气体，最后冷却至室温以下，得到石墨烯/铜复合粉末。本发明用于一种原位生长石墨烯增强铜基电接触材料的制备方法。
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“原位生长石墨烯增强铜基电接触材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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