本发明涉及一种纳米晶粒二氧化
锡的电子束制备方法，可实现材料和结构的定区域定尺寸加工制备，属于金属氧化物材料制备和半导体器件制造工艺技术领域。该方法以纯锡为原材料，通过电子束辐照氧化的物理机制，制备出纳米晶粒的二氧化
锡材料或含有二氧化锡的
复合材料以及含有上述材料组织的特殊结构，其中二氧化锡的晶粒尺寸分布可达3～15nm。本发明基于电子束与材料的物理交互作用，不同于以往的化学合成方法，制备过程简单，可控性强，可实现在微小特定区域内二氧化锡
纳米材料及复合材料的制备，亦可实现含二氧化锡的特殊结构的制造，为二氧化锡材料合成和微型器件制造提供切实可行的方法，解决现有化学技术方法中存在的工艺复杂、杂质残留等问题。
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“纳米晶粒二氧化锡的电子束制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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