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低热膨胀系数二氧化硅/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法

928 编辑：管理员来源：北方有色网

2023-03-18 17:12:59

本发明公开了一种低热膨胀系数SiO₂/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法。该复合材料由基体材料刚性聚酰亚胺与SiO₂原位复合而成，基体聚酰亚胺是由1,2,4,5‑均苯四甲酸二酐(PMDA)与2‑(4‑氨基苯基)‑5‑氨基‑苯并噁唑(BOA)缩聚制得。本发明SiO₂/聚酰亚胺复合材料制备工艺简单，SiO₂在基体材料中分散较好。与现有技术相比，本发明提供的SiO₂/聚酰亚胺复合薄膜，在基材的分子结构中引入了刚性的PMDA与BOA结构单元，同时BOA的高耐热性，使得所制SiO₂/聚酰亚胺复合薄膜展现出高热稳定性及低热膨胀系数。能够较好的满足于集成电路和芯片封装技术方面对硅基材料热匹配的要求，可以应用于微电子行业，如电子封装领域多层布线技术中的绝缘层；也可用于太阳能电池中的绝缘层等。因而，具有较为广阔的应用前景。

声明：

“低热膨胀系数二氧化硅/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。

我是此专利(论文)的发明人(作者)