本发明涉及一种无压浸渗法制备SiC/Al电子封装材料的工艺，按质量配比在6～9：0.5～2：0.5～2范围内称取粒径分别为140-170μm、15-70μm、14-17μm的
碳化硅颗粒，加入粘结剂、增塑剂、润滑剂和溶剂混匀，压制成型后预热处理并烧结，然后在Al-Mg-Si合金熔体中浸渗。采用三种粒径制备的三颗粒SiC/Al
复合材料的热物理性能和力学性能整体上比双颗粒SiC/Al复合材料好，热膨胀系数在(7.92-9.71)×10-6K-1之间变化、热导率在(140-159)W/mK之间变化和抗弯强度300-337MPa之间变化。
声明：
“无压浸渗法制备SiC/Al电子封装材料的工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1199
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
