本发明公开了一种全熔高效
多晶硅铸锭用籽晶，所述的籽晶为表面局部包覆有氮化硅涂层的球状SiC-SiO2复合颗粒。本发明还公开了上述全熔高效多晶硅铸锭用籽晶的制备方法以及上述籽晶在多晶硅全熔高效铸锭中的应用。与目前普遍使用的全熔籽晶相比，该籽晶直接铺设于坩埚底部的氮化硅涂层之上，而非固定于坩埚底部和氮化硅涂层之间，因而可以从根本上避免粘埚风险；由于该籽晶无需控制引晶点间距，因而可实现更好的引晶效果，降低硅锭中位错比例；由于使用SiC、SiO2
复合材料作为籽晶，较石英颗粒籽晶，可显著降低硅锭中下部的间隙氧含量。
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“全熔高效多晶硅铸锭用籽晶及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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