本发明提供了一种硫族半导体CdX复合H‑TiO
2基纳米管阵列的制备方法，属于纳米
复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为：在含
钛金属基体上，通过阳极氧化法制备纳米管有序阵列；对所制备的TiO
2纳米管有序阵列进行晶化处理后，再进行表面氢化处理，得到H‑TiO
2基纳米管阵列；对所制备的H‑TiO
2基纳米管阵列与硫族半导体CdX进行复合，制备得到一种硫族半导体CdX复合的H‑TiO
2基纳米管阵列。该TiO
2纳米管阵列复合材料原料廉价易得，制备方法简单，结构高度有序，拥有较高的比表面积，化学性能稳定，光催化性能较好，光转换率高，不仅可以作为光生阴极保护材料来使用，还可以作为光催化降解污染物材料来使用。
声明：
“硫族半导体CdX复合H-TiO2基纳米管阵列的制备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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