本发明高分子PTC
芯片多层复合制造方法涉及一种以导电高分子聚合物
复合材料为主要原料的电子元器件及其制造方法,尤其是一种高分子PTC热敏电阻器芯片结构及其制造方法。一种高分子PTC芯片多层复合结构,包括高分子PTC材料层及复合在材料层外面的电极,其中,所述的高分子PTC材料层为二层或二层以上,在各高分子PTC材料层之间加入有
铜片层。用此结构所制得的高分子PTC热敏电阻器芯片能有效降低恢复后的电阻漂移,使产品的长期性能得到提高,同时铜片层作为隔离层还可以使元件在失效时沿着铜隔离层裂开,大大降低燃烧的可能性。
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来源：北方有色网
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